הויפּט טעכניש פּאַראַמעטערס
טעכניש פּאַראַמעטער
♦ הינטער-הויך קאַפּאַציטעט, נידעריק ימפּידאַנס און מיניאַטוריזעד V-CHIP פּראָדוקטן זענען געראַנטיד פֿאַר 2000 שעה
♦ פּאַסיק פֿאַר הויך-געדיכטקייַט אָטאַמאַטיק ייבערפלאַך אָנקלאַפּן הויך טעמפּעראַטור ריפלאָו סאַדערינג
♦ קאַנפאָרמינג צו AEC-Q200 RoHS דירעקטיוו, ביטע קאָנטאַקט אונדז פֿאַר דעטאַילס
די הויפּט טעכניש פּאַראַמעטערס
| פּראָיעקט | כאַראַקטעריסטיש | |||||||||||
| אַפּערייטינג טעמפּעראַטור קייט | -55~+105℃ | |||||||||||
| נאָמינאַל וואָולטידזש קייט | 6.3-35 וו | |||||||||||
| קאַפּאַציטעט טאָלעראַנץ | 220~2700uF | |||||||||||
| ליקאַדזש קראַנט (uA) | ± 20% (120 הז 25 ℃) | |||||||||||
| I≤0.01 CV אָדער 3uA וואָס איז גרעסער C: נאָמינאַל קאַפּאַציטעט uF V: רייטאַד וואָולטידזש (V) 2 מינוט לייענען | ||||||||||||
| אָנווער טאַנגענט (25±2℃ 120הז) | רייטאַד וואָולטידזש (V) | 6.3 | 10 | 16 | 25 | 35 |
|
|
| |||
| tg 6 | 0.26 | 0.19 | 0.16 | 0.14 | 0.12 |
|
|
| ||||
| אויב די נאָמינאַל קאַפּאַציטעט יקסידז 1000uF, די אָנווער טאַנגינג ווערט וועט פאַרגרעסערן מיט 0.02 פֿאַר יעדער פאַרגרעסערן פון 1000uF | ||||||||||||
| טעמפּעראַטור קעראַקטעריסטיקס (120 הז) | רייטאַד וואָולטידזש (V) | 6.3 | 10 | 16 | 25 | 35 | ||||||
| ימפּידאַנס פאַרהעלטעניש מאַקס ז (-40 ℃) / ז (20 ℃) | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |||||||
| געווער | אין אַ ויוון בייַ 105 ° C, צולייגן די רייטאַד וואָולטידזש פֿאַר 2000 שעה, און פּרובירן עס אין צימער טעמפּעראַטור פֿאַר 16 שעה. די פּראָבע טעמפּעראַטור איז 20 °C. די פאָרשטעלונג פון די קאַפּאַסאַטער זאָל טרעפן די פאלגענדע באדערפענישן | |||||||||||
| קאַפּאַציטעט טוישן קורס | ין ± 30% פון ערשט ווערט | |||||||||||
| אָנווער טאַנגענט | אונטער 300% פון די ספּעסיפיעד ווערט | |||||||||||
| ליקאַדזש קראַנט | ונטער דער ספּעסאַפייד ווערט | |||||||||||
| הויך טעמפּעראַטור סטאָרידזש | קראָם בייַ 105 ° C פֿאַר 1000 שעה, פּרובירן נאָך 16 שעה אין צימער טעמפּעראַטור, די פּרובירן טעמפּעראַטור איז 25 ± 2 ° C, די פאָרשטעלונג פון די קאַפּאַסאַטער זאָל טרעפן די פאלגענדע רעקווירעמענץ | |||||||||||
| קאַפּאַציטעט טוישן קורס | ין ± 20% פון ערשט ווערט | |||||||||||
| אָנווער טאַנגענט | אונטער 200% פון די ספּעסיפיעד ווערט | |||||||||||
| ליקאַדזש קראַנט | אונטער 200% פון די ספּעסיפיעד ווערט | |||||||||||
פּראָדוקט דימענשאַנאַל צייכענונג
ויסמעסטונג (איינהייט: מם)
| ΦDxL | A | B | C | E | H | K | a |
| 6.3x77 | 2.6 | 6.6 | 6.6 | 1.8 | 0.75±0.10 | 0.7מאַקס | ±0.4 |
| 8x10 | 3.4 | 8.3 | 8.3 | 3.1 | 0.90±0.20 | 0.7מאַקס | ±0.5 |
| 10x10 | 3.5 | 10.3 | 10.3 | 4.4 | 0.90±0.20 | 0.7מאַקס | ±0.7 |
ריפּאַל קראַנט אָפטקייַט קערעקשאַן קאָואַפישאַנט
| אָפטקייַט (הז) | 50 | 120 | 1K | 310K |
| קאָואַפישאַנט | 0.35 | 0.5 | 0.83 | 1 |
אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז: וויידלי געוויינט עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ
אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז זענען פּראָסט עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ אין די פעלד פון עלעקטראָניק, און זיי האָבן אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז אין פאַרשידן סערקאַץ. ווי אַ טיפּ פון קאַפּאַסאַטער, אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז קענען קראָם און מעלדונג אָפּצאָל, געניצט פֿאַר פילטערינג, קאַפּלינג און ענערגיע סטאָרידזש פאַנגקשאַנז. דער אַרטיקל וועט באַקענען די אַרבעט פּרינציפּ, אַפּלאַקיישאַנז און פּראָס און קאָנס פון אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז.
אַרבעט פּרינציפּ
אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז צונויפשטעלנ זיך פון צוויי אַלומינום שטער ילעקטראָודז און אַן עלעקטראָליטע. איין אַלומינום שטער איז אַקסאַדייזד צו ווערן די אַנאָוד, בשעת די אנדערע אַלומינום שטער סערוועס ווי די קאַטאָוד, מיט די עלעקטראָליטע יוזשאַוואַלי אין פליסיק אָדער געל פאָרעם. ווען אַ וואָולטידזש איז געווענדט, ייאַנז אין די עלעקטראָליטע מאַך צווישן די positive און נעגאַטיוו ילעקטראָודז, פאָרמינג אַן עלעקטריש פעלד, און דערמיט סטאָרינג די אָפּצאָל. דאָס אַלאַוז אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז צו שפּילן ווי ענערגיע סטאָרידזש דעוויסעס אָדער דעוויסעס וואָס ריספּאַנד צו טשאַנגינג וואָולטאַדזשאַז אין סערקאַץ.
אַפּפּליקאַטיאָנס
אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז האָבן וויידספּרעד אַפּלאַקיישאַנז אין פאַרשידן עלעקטראָניש דעוויסעס און סערקאַץ. זיי זענען אָפט געפֿונען אין מאַכט סיסטעמען, אַמפּלאַפייערז, פילטערס, דק-דק קאַנווערטערז, מאָטאָר דרייווז און אנדערע סערקאַץ. אין מאַכט סיסטעמען, אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז זענען טיפּיקלי געניצט צו גלאַט רעזולטאַט וואָולטידזש און רעדוצירן וואָולטידזש פלאַקטשויישאַנז. אין אַמפּלאַפייערז, זיי זענען געניצט פֿאַר קאַפּלינג און פֿילטרירונג צו פֿאַרבעסערן אַודיאָ קוואַליטעט. אַדדיטיאָנאַללי, אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז קענען אויך זיין געוויינט ווי פאַסע שיפטערס, שריט ענטפער דעוויסעס, און מער אין אַק סערקאַץ.
פּראָס און קאָנס
אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז האָבן עטלעכע אַדוואַנטידזשיז, אַזאַ ווי לעפיערעך הויך קאַפּאַסאַטאַנס, נידעריק פּרייַז און אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז. אָבער, זיי אויך האָבן עטלעכע לימיטיישאַנז. פירסטלי, זיי זענען פּאָולערייזד דעוויסעס און מוזן זיין קאָננעקטעד ריכטיק צו ויסמיידן שעדיקן. צווייטנס, זייער לעבן איז לעפיערעך קורץ און זיי קען פאַרלאָזן רעכט צו עלעקטראָליטע דרייינג אָדער ליקאַדזש. דערצו, די פאָרשטעלונג פון אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז קען זיין לימיטעד אין הויך-אָפטקייַט אַפּלאַקיישאַנז, אַזוי אנדערע טייפּס פון קאַפּאַסאַטערז קען זיין קאַנסידערד פֿאַר ספּעציפיש אַפּלאַקיישאַנז.
מסקנא
אין מסקנא, אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז שפּילן אַ וויכטיק ראָלע ווי פּראָסט עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ אין די פעלד פון עלעקטראָניק. זייער פּשוט אַרבעט פּרינציפּ און ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז מאַכן זיי ינדיספּענסאַבאַל קאַמפּאָונאַנץ אין פילע עלעקטראָניש דעוויסעס און סערקאַץ. כאָטש אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז האָבן עטלעכע לימיטיישאַנז, זיי זענען נאָך אַ עפעקטיוו ברירה פֿאַר פילע נידעריק-אָפטקייַט סערקאַץ און אַפּלאַקיישאַנז, וואָס טרעפן די באדערפענישן פון רובֿ עלעקטראָניש סיסטעמען.
| פּראָדוקטן נומער | אַפּערייטינג טעמפּעראַטור (℃) | וואָולטידזש (V.DC) | קאַפּאַסיטאַנס (uF) | דיאַמעטער (מם) | לענג (מם) | ליקאַדזש קראַנט (uA) | רייטאַד ריפּאַל קראַנט [מאַ / רמס] | ESR / ימפּידאַנס [Ωמאַקס] | לעבן (שעה) | Certification |
| V3MCC0770J821MV | -55~105 | 6.3 | 820 | 6.3 | 7.7 | 51.66 | 610 | 0.24 | 2000 | - |
| V3MCC0770J821MVTM | -55~105 | 6.3 | 820 | 6.3 | 7.7 | 51.66 | 610 | 0.24 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCD1000J182MV | -55~105 | 6.3 | 1800 | 8 | 10 | 113.4 | 860 | 0.12 | 2000 | - |
| V3MCD1000J182MVTM | -55~105 | 6.3 | 1800 | 8 | 10 | 113.4 | 860 | 0.12 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCE1000J272MV | -55~105 | 6.3 | 2700 | 10 | 10 | 170.1 | 1200 | 0.09 | 2000 | - |
| V3MCE1000J272MVTM | -55~105 | 6.3 | 2700 | 10 | 10 | 170.1 | 1200 | 0.09 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCC0771A561MV | -55~105 | 10 | 560 | 6.3 | 7.7 | 56 | 610 | 0.24 | 2000 | - |
| V3MCC0771A561MVTM | -55~105 | 10 | 560 | 6.3 | 7.7 | 56 | 610 | 0.24 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCD1001A122MV | -55~105 | 10 | 1200 | 8 | 10 | 120 | 860 | 0.12 | 2000 | - |
| V3MCD1001A122MVTM | -55~105 | 10 | 1200 | 8 | 10 | 120 | 860 | 0.12 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCE1001A222MV | -55~105 | 10 | 2200 | 10 | 10 | 220 | 1200 | 0.09 | 2000 | - |
| V3MCE1001A222MVTM | -55~105 | 10 | 2200 | 10 | 10 | 220 | 1200 | 0.09 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCC0771C471MV | -55~105 | 16 | 470 | 6.3 | 7.7 | 75.2 | 610 | 0.24 | 2000 | - |
| V3MCC0771C471MVTM | -55~105 | 16 | 470 | 6.3 | 7.7 | 75.2 | 610 | 0.24 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCD1001C821MV | -55~105 | 16 | 820 | 8 | 10 | 131.2 | 860 | 0.12 | 2000 | - |
| V3MCD1001C821MVTM | -55~105 | 16 | 820 | 8 | 10 | 131.2 | 860 | 0.12 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCE1001C152MV | -55~105 | 16 | 1500 | 10 | 10 | 240 | 1200 | 0.09 | 2000 | - |
| V3MCE1001C152MVTM | -55~105 | 16 | 1500 | 10 | 10 | 240 | 1200 | 0.09 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCC0771E331MV | -55~105 | 25 | 330 | 6.3 | 7.7 | 82.5 | 610 | 0.24 | 2000 | - |
| V3MCC0771E331MVTM | -55~105 | 25 | 330 | 6.3 | 7.7 | 82.5 | 610 | 0.24 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCD1001E561MV | -55~105 | 25 | 560 | 8 | 10 | 140 | 860 | 0.12 | 2000 | - |
| V3MCD1001E561MVTM | -55~105 | 25 | 560 | 8 | 10 | 140 | 860 | 0.12 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCE1001E102MV | -55~105 | 25 | 1000 | 10 | 10 | 250 | 1200 | 0.09 | 2000 | - |
| V3MCE1001E102MVTM | -55~105 | 25 | 1000 | 10 | 10 | 250 | 1200 | 0.09 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCC0771V221MV | -55~105 | 35 | 220 | 6.3 | 7.7 | 77 | 610 | 0.24 | 2000 | - |
| V3MCC0771V221MVTM | -55~105 | 35 | 220 | 6.3 | 7.7 | 77 | 610 | 0.24 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCD1001V471MV | -55~105 | 35 | 470 | 8 | 10 | 164.5 | 860 | 0.12 | 2000 | - |
| V3MCD1001V471MVTM | -55~105 | 35 | 470 | 8 | 10 | 164.5 | 860 | 0.12 | 2000 | AEC-Q200 |
| V3MCE1001V681MV | -55~105 | 35 | 680 | 10 | 10 | 238 | 1200 | 0.09 | 2000 | - |
| V3MCE1001V681MVTM | -55~105 | 35 | 680 | 10 | 10 | 238 | 1200 | 0.09 | 2000 | AEC-Q200 |
-
פירן טיפּ מיניאַטורע אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַק ...
-
שפּאָן האַרט אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטער וופּל
-
שפּאָן האַרט אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטער וופּקס
-
שפּאָן מיניאַטורע אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז ...
-
שפּאָן כייבריד אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטער VHU
-
ראַדיאַל פירן טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסיטאָ ...